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測(cè)試探針實(shí)力生產(chǎn)廠家

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什么是開關(guān)測(cè)試探針

標(biāo)簽:

什么是開關(guān)式測(cè)試探針呢?


開關(guān)式測(cè)試探針廣泛應(yīng)用于連接器或元器件的存在性位置測(cè)試。當(dāng)針頭壓縮一定行程后,出發(fā)內(nèi)置開關(guān)從而導(dǎo)通斷開回路。


開關(guān)式測(cè)試探針?lè)诸?/span>


關(guān)-開-關(guān)-開關(guān)探針

球頭開關(guān)探針 (常開)

標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)探針(常開/常閉)


開關(guān)式測(cè)試探針的材質(zhì)和鍍層


針管:鈹銅鍍金/黃銅鍍金/合成材料無(wú)鍍層

彈簧:琴鋼線鍍銀/琴鋼線鍍金/不銹鋼線不鍍層

針套:黃銅鍍金



華榮華測(cè)試探針廠家

晶元測(cè)試中高溫對(duì)測(cè)試探針機(jī)械性能的影響

晶元測(cè)試中高溫對(duì)測(cè)試探針機(jī)械性能的影響

       隨著半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的不斷發(fā)展,高溫晶元測(cè)試已經(jīng)逐漸成為主流,并且測(cè)試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設(shè)施的性能外,如何通過(guò)持續(xù)改進(jìn)工藝制程和參數(shù)來(lái)更好的保證高溫晶元測(cè)試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要  在晶元測(cè)試過(guò)程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測(cè)試機(jī)到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級(jí),按照晶元層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同,通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過(guò)淺會(huì)造成接觸不良導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不穩(wěn)定,過(guò)深則會(huì)有潛在的破壞底層電路的風(fēng)險(xiǎn)。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測(cè)試相比,由于整套測(cè)試硬件在高溫環(huán)境下會(huì)發(fā)生熱膨脹,且在測(cè)試過(guò)程中會(huì)表現(xiàn)出與熱源距離相關(guān)的持續(xù)波動(dòng)性,要保證高溫測(cè)試的穩(wěn)定安全,需要一套特殊的工藝

2021-02-05

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