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測(cè)試探針P50-J 當(dāng)前位置:首頁(yè) » PCB測(cè)試探針 » P50探針系列

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  • 測(cè)試探針P50-J
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測(cè)試探針P50-J

測(cè)試探針P50-J

產(chǎn)品名稱:P50-J、PA50-J
所屬分類:測(cè)試探針
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:測(cè)試探針外徑為0.68mm,頂針總長(zhǎng)為16.55mm測(cè)試探針、頂針、彈簧針、PCB測(cè)試針、ICT測(cè)試針、測(cè)試架探針
產(chǎn)品介紹(產(chǎn)品概述):
針管:磷銅管鍍金
彈簧:不銹鋼線
針桿:鈹銅或SK4鍍金或銠
套管:磷銅鍍金‘
鉆孔尺寸:0.90mm
額定電流:3安培
接觸彈力:75g
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晶元測(cè)試中高溫對(duì)測(cè)試探針機(jī)械性能的影響

       隨著半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的不斷發(fā)展,高溫晶元測(cè)試已經(jīng)逐漸成為主流,并且測(cè)試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設(shè)施的性能外,如何通過(guò)持續(xù)改進(jìn)工藝制程和參數(shù)來(lái)更好的保證高溫晶元測(cè)試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要  在晶元測(cè)試過(guò)程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測(cè)試機(jī)到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級(jí),按照晶元層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同,通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過(guò)淺會(huì)造成接觸不良導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不穩(wěn)定,過(guò)深則會(huì)有潛在的破壞底層電路的風(fēng)險(xiǎn)。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測(cè)試相比,由于整套測(cè)試硬件在高溫環(huán)境下會(huì)發(fā)生熱膨脹,且在測(cè)試過(guò)程中會(huì)表現(xiàn)出與熱源距離相關(guān)的持續(xù)波動(dòng)性,要保證高溫測(cè)試的穩(wěn)定安全,需要一套特殊的工藝

2021-02-05

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